Избранное
ЭБ Нефть
и Газ
Главная
Оглавление
Поиск +
Еще книги ...
Энциклопедия
Помощь
Для просмотра
необходимо:


Книга: Главная » Валь А.N. Использование радиоактивности при химических исследованиях
 
djvu / html
 

адсорбироваться. Этот процесс иногда называют обменной адсорбцией. Такие адсорбированные посторонние ионы медленно внедряются в кристаллическую решетку по мере прохождения процесса рекристаллизации. Таким образом перенос путем изоморфного замещения в заранее приготовленном осадке состоит из быстрого процесса обменной адсорбции, сопровождаемого медленным процессом внедрения в кристаллическую решетку во время рекристаллизации.
Концентрация йаС.г,миллимоли-л
Рис Влияние концентрации ионов бария на количество радия, перенесенного заранее приготовленным осадком
мл М НС с г осажденного на холоду и прокаленного кипятились с обратным холодильником в течение час..
На эффективность переноса заранее приготовленными осадками при процессе изоморфного замещения влияют следующие факторы:
Повидимому, изоморфизм смешанных кристаллов не всегда является необходимым условием для обменной адсорбции. Например, Кольтгофф и Сэнделл К показали, что ионы сульфата, ирдата и гидроксил могут замещать ионы оксалата на поверхности моногидрата оксалата кальция и что ионы бария и марганца могут замещать ионы кальция. Кроме того, Кольтгофф и Розенблюм К показали, что краска Понсо
адсорбируется на поверхности сульфата свинца путем обменного адсорбционного процесса, причем молекулы краски замещают иона сульфата, вероятно, благодаря внедрению некоторых сульфонатных групп в поверхностный слой решетки.
Это явление может быть связано с образованием аномальных смешанных кристаллов. Возможно, ионы индикатора, которые в макроколичествах не внедряются в кристаллическую решетку, являются достаточно сходными с одним из ионов решетки для замещения его в поверхностном слое, где условия тождественности размера и формы не так обязательны. Вследствие низкой концентрации индикаторных ионов кристалл может расти почти нормально, захватывая некоторые индикаторные ионы, но не претерпевая заметного нарушения в результате их присутствия. Большие количества таких посторонних ионов на поверхности кристалла не могут захватываться в растущем кристалле без заметного нарушения решетки; следовательно, рост происходит лишь в том случае, когда ион решетки замещает посторонний ион на поверхности в течение быстрого процесса обмена. Таким образом, индикаторные ионы но не макроколичества посторонних ионов могут внедряться в решетку и в случае, когда смешанные кристаллы не изоморфны.

 

1 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 470 480 490 500 510 520 530 540 550 560


Аналитическая химия. Хроматография. Анализы нефтепродуктов в промышленности - Учебники. Справочники